
Online Webinar: GaN und SiC – Die Zukunft der Leistungselektronik
Wide band-gap Materialien wie Galliumnitrid (GaN) und Siliziumkarbid (SiC) eröffnen neue Möglichkeiten in Effizienz und Leistung, die mit klassischem Silizium nicht erreichbar sind. Erfahren Sie mehr über ihre technischen Eigenschaften, die Architektur von GaN-FETs und aktuelle Markttrends.
Webinar Infos
Datum:
2. Dezember 2026
Zeit:
12.00 – 12.45 Uhr
Kurssprache:
Deutsch
Durchführungsort:
Online
Kosten:
kostenlos
Webinarziele
Nach dem Webinar verfügen die Teilnehmenden über folgendes Know-How / Kompetenzen:
- Technische Details der wide band-gap Materialien sind bekannt
- Wissen, wie der Aufbau eines GaN FETs ist
- Eine Praxisanwendung (GaN) kennen gelernt
- Marktentwicklung ist bekannt
Zielgruppen
- Elektroniker
- Techniker
- Produktentwickler (Elektronik)
Referenten

Niklaus Fäh
Expert Electronic Engineer
-
Erfahrung in der Entwicklung von Medizingeräten
- Vertiefte Designerfahrung im Power Management
- Mitglied im firmeninternen Advisory Board

Katharina Maul
Senior Regulatory Affairs- & Qualitätsmanager
- Bachelor of Science in Biomedizinische Technik
- 7+ Jahre Erfahrung in der Medizintechnik
- Expertin IEC 62366-1 Usability Engineering
- Expertin ISO 27001 ISMS