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Online Webinar: GaN und SiC – Die Zukunft der Leistungselektronik

Wide band-gap Materialien wie Galliumnitrid (GaN) und Siliziumkarbid (SiC) eröffnen neue Möglichkeiten in Effizienz und Leistung, die mit klassischem Silizium nicht erreichbar sind. Erfahren Sie mehr über ihre technischen Eigenschaften, die Architektur von GaN-FETs und aktuelle Markttrends.

Webinar Infos

Datum:
2. Dezember 2026

Zeit:
12.00 – 12.45 Uhr

Kurssprache:
Deutsch

Durchführungsort:
Online

Kosten:
kostenlos

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Webinarziele

Nach dem Webinar verfügen die Teilnehmenden über folgendes Know-How / Kompetenzen:

  •          Technische Details der wide band-gap Materialien sind bekannt
  •          Wissen, wie der Aufbau eines GaN FETs ist
  •          Eine Praxisanwendung (GaN) kennen gelernt
  •          Marktentwicklung ist bekannt

Zielgruppen

  • Elektroniker
  • Techniker
  • Produktentwickler (Elektronik)
Referenten

Niklaus Fäh

Expert Electronic Engineer

  •          Erfahrung in der Entwicklung von Medizingeräten

  •          Vertiefte Designerfahrung im Power Management
  •      Mitglied im firmeninternen Advisory Board

 

Katharina Maul

Senior Regulatory Affairs- & Qualitätsmanager

  • Bachelor of Science in Biomedizinische Technik
  • 7+ Jahre Erfahrung in der Medizintechnik
  • Expertin IEC 62366-1 Usability Engineering
  • Expertin ISO 27001 ISMS

 

 

Kursanmeldung

Anrede*
 

Bezahlung: erfolgt per Rechnung.